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未固化特性 |
檢測說明 |
檢測方法 |
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密度 3.5g/cc
填充劑 銀
粘性@ 25℃ 8000cps
觸變指數 5.6
使用壽命@ 25℃ 18小時
保存時間@ -40℃ 1年 |
比重瓶
Brookfield CP51@5rpm
粘性@0.5/粘性@5rpm
%填充劑物理使用壽命 |
PT-1
PT-42
PT-61
PT-12
PT-13 |
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固化處理數據 | ||
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建議固化條件 1小時@ 175℃
或者（1） 3-5℃/分升溫到175℃+1小時@175℃
這種升溫固化降低結合面溫度，讓溶劑揮發并增加強度。 | ||
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固化重量損失 5.3% |
載玻片上10×10mm 硅芯片 |
PT-80 |
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固化前物理化學特性 |
檢測說明 |
檢測方法 |
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離子型表面活性劑 氯化物 5ppm
鈉 3ppm
鉀 1ppm
抽水傳導性 13mmhos/cm
pH 6
重量損失@300℃ 0.35%
玻璃轉化溫度 120℃
熱膨脹系數
低于Tg 40 ppm/℃
高于Tg 150 ppm/℃
動態拉伸模量
@-65℃ 4380Mpa
（640Kpsi）
@25℃ 3940Mpa
（570Kpsi）
@150℃ 1960Mpa
（280Kpsi）
@250℃ 300Mpa
（44Kpsi）
吸濕率
@飽和 0.6% |
特氟綸燒瓶
5 gm 樣品/20-40篩網
5 gm DI水
保持100℃ 24小時
熱解重量分析
TMA滲透模式
TMA 膨脹模式
動力熱解分析
使用
<0.5mm厚度的樣品
動態蒸發吸附作用
85℃/85% RH曝光以后 |
CT-13
CT-6 CT-7
PT-20
MT-14
MT-9
MT-12
PT-65 |
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固化后電熱特性 |
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導熱性 2.5W/m。K
@121℃
體積電阻率 0.0001 ohm-cm |
C-MATIC 導電檢測器
4點探測 |
PT-40
PT-46 |
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固化后機械特性 |
檢測說明 |
檢測 方法 |
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芯片剪切強度 @25℃ 19kg/die
芯片剪切強度和溫度
@25℃ @200℃ @250℃
21kg/die 2.9kg/die 1.7kg/die
11kg/die 2.6kg/die 1.4kg/die
27kg/die 2.4kg/die 2.0kg/die
85℃/85% RH曝光168小時以后芯片剪切強度
@25℃ @200℃
12kg/die 1.8kg/die
10kg/die 2.5kg/die
23kg/die 1.8kg/die
芯片熱變形@25℃與芯片大小
芯片尺寸 熱變形
7.6×7.6mm（300×300mil） 19mm
10.2×10.2mm（400×400mil） 32mm
12.7×12.7mm（500×500mil） 51mm
碎片熱變形與固化后電熱處理2
固化后 +絲焊 +鑄型烘焙后
（1分鐘@250℃） （4小時@175℃）
20mm 29mm 28mm
22mm 30mm 28mm
數據由改變升溫處理條件獲得。 |
2×2mm（80×80mil）硅芯片
3×3mm（120×120mil）硅芯片
基材
銀/銅引線框架
裸銅引線框架
鈀/鎳/銅引線框架
3×3mm（120×120mil）硅芯片
基材
銀/銅引線框架
裸銅引線框架
鈀/鎳/銅引線框架
0.38 mm（15mil）厚的硅芯片
在0.2mm厚的銀/銅引線框架上
7.6×7.6×0.38mm（300×300×15mil）硅芯片
在0.2mm（8 mil）厚的LF上
基材
銀/銅引線框架
裸銅引線框架 |
MT-4
MT-4
MT-4
MT-15
MT-15 |
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